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R1RP0408DGE-2LR集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
R1RP0408DGE-2LR |
| 参数属性 | R1RP0408DGE-2LR 封装/外壳为36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装为托盘；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
| 功能描述 | 4M High Speed SRAM (512-kword 짰8-bit) |
| 文件大小 |
86.62 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | Renesas Electronics America |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-11 12:04:00 |
R1RP0408DGE-2LR规格书详情
R1RP0408DGE-2LR属于集成电路（IC） > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的R1RP0408DGE-2LR存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号：
R1RP0408DGE-2LR#B1
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM
- 存储容量：
4Mb（512K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
12ns
- 电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
- 供应商器件封装：
36-SOJ
- 描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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