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R1LV1616HBG-4SI集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料
R1LV1616HBG-4SI规格书详情
R1LV1616HBG-4SI属于集成电路（IC） > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的R1LV1616HBG-4SI存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号：
R1LV1616HBG-4SI#S0
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 系列：
R1LV1616HBG-I
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 异步
- 存储容量：
16Mb（1M x 16）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
45ns
- 电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
48-TFBGA
- 供应商器件封装：
48-TFBGA（8x9.5）
- 描述：
IC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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