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R1LP0108ESN-5SI集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料

R1LP0108ESN-5SI
厂商型号

R1LP0108ESN-5SI

参数属性

R1LP0108ESN-5SI 封装/外壳为32-SOIC(0.450",11.40mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOP

功能描述

1Mb Advanced LPSRAM (128k word x 8bit)
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOP

文件大小

196.81 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-5 18:30:00

R1LP0108ESN-5SI规格书详情

R1LP0108ESN-5SI属于集成电路(IC) > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的R1LP0108ESN-5SI存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

  • 产品编号:

    R1LP0108ESN-5SI#B1

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM

  • 存储容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    55ns

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    32-SOIC(0.450",11.40mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    32-SOP

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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