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S-1200	文件：629.3 Kbytes Page：37 Pages	HIGHRIPPLE-REJECTIONLOWDROPOUTLOWINPUT-AND-OUTPUTCAPACITANCECMOSVOLTAGEREGULATOR	ABLICABLIC Inc. 艾普凌科艾普凌科有限公司	ABLIC
S1200SP	文件：954.87 Kbytes Page：4 Pages	Reliable,CostEffective,Easy-to-ManageServerBoardinamicroATXFormFactor	IntelIntel Corporation 英特尔	Intel
S1200SPLR	文件：954.87 Kbytes Page：4 Pages	Reliable,CostEffective,Easy-to-ManageServerBoardinamicroATXFormFactor	IntelIntel Corporation 英特尔	Intel
S1200SPOR	文件：954.87 Kbytes Page：4 Pages	Reliable,CostEffective,Easy-to-ManageServerBoardinamicroATXFormFactor	IntelIntel Corporation 英特尔	Intel
S1200SPSR	文件：954.87 Kbytes Page：4 Pages	Reliable,CostEffective,Easy-to-ManageServerBoardinamicroATXFormFactor	IntelIntel Corporation 英特尔	Intel
SB1200	文件：51.16 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-20to200Volts FORWARDCURRENT-1.0Amperes FEATURES ●Metal-Semiconductorjunctionwithguardring ●Epitaxialconstruction ●Lowforwardvoltagedrop ●Highcurrentcapability ●TheplasticmaterialcarriesULrecognition94V-0 ●Foruseinlowvoltage,highfre	CTC ctconline	CTC
SB1200	文件：222.23 Kbytes Page：2 Pages	PowerSchottkyRectifier-1Amp150~200Volt □Features -Lowforwardvoltagedrop -Highcurrentcapability -Highreliability -Highsurgecurrentcapability -Epitaxialconstruction	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
SB1200	文件：274.618 Kbytes Page：2 Pages	1.0A200VSchottkydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
SB1200	文件：128.15 Kbytes Page：2 Pages	1.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
SB1200	文件：155.56 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC

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产品属性

产品编号：
R1200-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
500mA
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
30pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 1.2KV 500MA DO41

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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