QX6003微功耗触摸按键芯片

· QX6003是一款单通道电容式的触摸感应控制开关芯片，可替换传统的机械式开关。使用该芯片可实现用单个按键触摸来控制同步和保持的两路输出功能。\r\n· QX6003芯片内置去抖动电路，可有效防止由外部噪声干扰导致的误动作。\r\n· QX6003支持绝缘外壳触摸和金属点直接触摸两种触摸方式。\r\n· QX6003工作电压范围可从2.5V到5.5V之间任意选择，抗电源电压干扰。\r\n· QX6003应用电路简单，外围仅需一个电容就可以实现触摸控制功能，加工方便、成本低，并且采用电容式检测方式可实现触摸开关与控制电路相隔离，安全可靠。\r\n· QX6003专为电池供电应用设计。\r\n· ·工作电压：2.5V~5.5V\r\n·工作电流：2.5uA@VDD =3.0V\r\n·内置上电复位功能\r\n·同步/保持开关两种输出功能\r\n·芯片内置去抖动电路，有效防止由外部噪声干扰导致的误动作\r\n·可用介质：玻璃、亚克力、塑料、陶瓷、金属等\r\n·应用电路简单，外围器件少，加工方便、成本低\r\n·抗电源干扰及手机干扰特性好\r\n·抗对讲机干扰;

QXMD

泉芯电子

600V - 20A - IGBT and Diode High Speed Power Switching

Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tr = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω

文件：110 Kbytes 页数：9 Pages

RENESAS

瑞萨

600V - 20A - IGBT and Diode High Speed Power Switching

Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tr = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω

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RENESAS

瑞萨

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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RECTRON

丽正国际