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READ2304G	文件：1.10848 Mbytes Page：10 Pages	HighDrivability&HighSlewRate,InputOutputFullRange, Description TheREAD2304GisinputandoutputfullrangedualCMOSOperationalAmplifierrealizinghighdrivability andhighslewrate.ThisICcanbeusedinminimumoperatingsupplyvoltagefrom2.5V,andinwideambient temperaturerangefrom-40˚Cto+105˚C. Availableinultra-small8pins	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
READ2304GSN	文件：1.10848 Mbytes Page：10 Pages	HighDrivability&HighSlewRate,InputOutputFullRange, Description TheREAD2304GisinputandoutputfullrangedualCMOSOperationalAmplifierrealizinghighdrivability andhighslewrate.ThisICcanbeusedinminimumoperatingsupplyvoltagefrom2.5V,andinwideambient temperaturerangefrom-40˚Cto+105˚C. Availableinultra-small8pins	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
READ2304GSP	文件：1.10848 Mbytes Page：10 Pages	HighDrivability&HighSlewRate,InputOutputFullRange, Description TheREAD2304GisinputandoutputfullrangedualCMOSOperationalAmplifierrealizinghighdrivability andhighslewrate.ThisICcanbeusedinminimumoperatingsupplyvoltagefrom2.5V,andinwideambient temperaturerangefrom-40˚Cto+105˚C. Availableinultra-small8pins	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RF2304	文件：241.65 Kbytes Page：10 Pages	GENERALPURPOSELOW-NOISEAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2304	文件：327.75 Kbytes Page：8 Pages	GENERALPURPOSELOW-NOISEAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2304	文件：197.03 Kbytes Page：10 Pages	GENERALPURPOSELOW-NOISEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2304isalow-noisesmall-signalamplifier.Thedeviceismanufacturedonalow-costGalliumArsenideMESFETprocess,andhasbeendesignedforuseasagainblockinhigh-endcommunicationsystemsoperatingfromlessthan300MHztoabove2.5GHz.With+6dBmoutputpower,	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2304PCBA	文件：197.03 Kbytes Page：10 Pages	GENERALPURPOSELOW-NOISEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2304isalow-noisesmall-signalamplifier.Thedeviceismanufacturedonalow-costGalliumArsenideMESFETprocess,andhasbeendesignedforuseasagainblockinhigh-endcommunicationsystemsoperatingfromlessthan300MHztoabove2.5GHz.With+6dBmoutputpower,	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RM2304	文件：186.08 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM2304E	文件：682.41 Kbytes Page：7 Pages	N-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology. FEATURES RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RN2304	文件：261.5 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN1301~1306	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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