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TMUX582F-SEP	文件：1.29195 Mbytes Page：30 Pages	TMUX582F-SEPRadiation-Tolerant60VProtected,Latch-UpImmune8:1MultiplexerwithAdjustableFaultThreshold 1Features •VIDV62/23607-01XE •Radiationhardened –Singleeventlatch-up(SEL)immuneto43MeVcm2/ mgat125°C –ELDRSfreeto30krad(Si) –Totalionizingdose(TID)RLATforeverywafer lotupto30krad(Si) –TIDcharacterizedupto30krad(Si) –Singleeventtransient(SET)characte	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TMUX582F-SEP	文件：1.64971 Mbytes Page：39 Pages	TMUX582F-SEP±60-VProtected,Latch-upImmune8:1MultiplexerwithAdjustableFaultThresholdsinSpaceEnhancedPlastic 1Features •Radiationhardened •Singleeventlatch-up(SEL)immuneto43MeVcm2/ mgat125°C •ELDRSfreeto30krad(Si) •Totalionizingdose(TID)RLATforeverywaferlot upto20krad(Si) •TIDcharacterizedupto50krad(Si) •Spaceenhancedplastic •Supplyrange:8Vto22Vor±	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TMUX582F-SEP	文件：1.30058 Mbytes Page：33 Pages	TMUX582F-SEPRadiation-Tolerant60VProtected,Latch-UpImmune8:1MultiplexerwithAdjustableFaultThreshold 1Features •VIDV62/23607-01XE •Radiationhardened –Singleeventlatch-up(SEL)immuneto43MeVcm2/ mgat125°C –ELDRSfreeto30krad(Si) –Totalionizingdose(TID)RLATforeverywafer lotupto30krad(Si) –TIDcharacterizedupto30krad(Si) –Singleeventtransient(SET)characte	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TSB582	文件：2.04553 Mbytes Page：34 Pages	200mAoutputcurrentwiththermalshutdownandoutputcurrentlimiter,3.1MHz,36V,BiCMOSdualoperationalamplifier Features •Widesupplyvoltage:4V-36V •Highoutputcurrent200mA •Rail-to-railoutput,lowrailinput •Gainbandwidthproduct:3.1MHz •Highslewrate:2V/μs •Internalthermalshutdown&outputcurrentlimiter •EnhancedRFnoiseimmunity •HightolerancetoESD:4kVHBM •Ex	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TSB582IDT	文件：2.04553 Mbytes Page：34 Pages	200mAoutputcurrentwiththermalshutdownandoutputcurrentlimiter,3.1MHz,36V,BiCMOSdualoperationalamplifier Features •Widesupplyvoltage:4V-36V •Highoutputcurrent200mA •Rail-to-railoutput,lowrailinput •Gainbandwidthproduct:3.1MHz •Highslewrate:2V/μs •Internalthermalshutdown&outputcurrentlimiter •EnhancedRFnoiseimmunity •HightolerancetoESD:4kVHBM •Ex	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TSB582IYDT	文件：2.04553 Mbytes Page：34 Pages	200mAoutputcurrentwiththermalshutdownandoutputcurrentlimiter,3.1MHz,36V,BiCMOSdualoperationalamplifier Features •Widesupplyvoltage:4V-36V •Highoutputcurrent200mA •Rail-to-railoutput,lowrailinput •Gainbandwidthproduct:3.1MHz •Highslewrate:2V/μs •Internalthermalshutdown&outputcurrentlimiter •EnhancedRFnoiseimmunity •HightolerancetoESD:4kVHBM •Ex	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TSOP582	文件：146.29 Kbytes Page：7 Pages	IRReceiverModulesforRemoteControlSystems	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSOP582	文件：203.3 Kbytes Page：8 Pages	IRReceiverModulesforRemoteControlSystems DESCRIPTION TheseproductsareminiaturizedIRreceivermodulesfor infraredremotecontrolsystems.APINdiodeanda preamplifierareassembledonaleadframe,theepoxy packagecontainsanIRfilter. Thedemodulatedoutputsignalcanbedirectlyconnecited toamicroprocessorfordecoding	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSOP582..	文件：203.3 Kbytes Page：8 Pages	IRReceiverModulesforRemoteControlSystems DESCRIPTION TheseproductsareminiaturizedIRreceivermodulesfor infraredremotecontrolsystems.APINdiodeanda preamplifierareassembledonaleadframe,theepoxy packagecontainsanIRfilter. Thedemodulatedoutputsignalcanbedirectlyconnecited toamicroprocessorfordecoding	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
UPB582	文件：69.88 Kbytes Page：4 Pages	DIVIDE-BY-4PRESCALER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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