首页 >QSC6025>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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10VDriveNchMOSFET | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
Nch600V25APowerMOSFET | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
Nch600V25APowerMOSFET | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
Nch600V25APowerMOSFET Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switching | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
High-PrecisionVoltageReferenceWithIntegratedADCDriveBuffer | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | ||
High-PrecisionVoltageReferenceWithIntegratedADCDriveBuffer | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | ||
High-PrecisionVoltageReferenceWithIntegratedADCDriveBuffer | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | ||
N-Channel650V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
600V-1A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=13.5±typ.(atID=0.5A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | DOINGTER |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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