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10VDriveNchMOSFET 10VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. Applications Switching Structure SiliconN-channelMOSFET | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
Nch600V20APowerMOSFET | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
10VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. 6)Pb-freeleadplating;RoHScompliant Application SwitchingPowerSupply | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
10VDriveNchMOSFET •Features 1)Lowon-resistance. 2)Lowinputcapacitance. 3)HighESD. •Application Switching •Structure SiliconN-channelMOSFET | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
Nch600V20APowerMOSFET | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
Nch600V20APowerMOSFET | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
Nch600V20APowerMOSFET | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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