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QS8K13	文件：1.25385 Mbytes Page：7 Pages	丝印：TCR；Package：TSMT8；4V Drive Nch Nch MOSFET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：1.25385 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
QS8K13	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch+Nch MOSFET 电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •4V驱动型 Nch+Nch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
SH8K13	文件：1.0989 Mbytes Page：7 Pages	4V Drive Nch Nch MOSFET 文件：1.0989 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
QSB34CGR	文件：0 bytes Page：0 Pages	onsemi / Fairchild PLCC-2	onsemi / Fairchild 上传：深圳市诺美思科技有限公司	onsemi / Fairchild
QSB34ZR	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON/安森美 SMD,4x4.5mm	ON/安森美上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	ON/安森美

技术参数

封装：
TSMT8
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TSMT8
Applications：
Switching
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
6
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.028
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.025
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.02
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.028
Total gate charge Qg[nC]：
5.5
Power Dissipation (PD)[W]：
1.5
Drive Voltage[V]：
4
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
3x2.8 (t=0.85)

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更多QS8K13供应商更新时间2025-10-4 13:01:00

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