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QS8J11	文件：1.26035 Mbytes Page：7 Pages	丝印：TCR；Package：TSMT8；1.5V Drive Pch Pch MOSFET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：1.26035 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
QS8J11	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.5V Drive Pch+Pch　MOSFET 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •1.5V驱动型 Pch+Pch MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
SMB8J11	文件：394.32 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLAGE SUPPESSOR DIODE 文件：394.32 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE
SMB8J11A	文件：549.095 Kbytes Page：2 Pages	800W 11V TVS transient suppressor diode 文件：549.095 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
SMB8J11A	文件：549.785 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLAGE SUPPRESSOR DIODE 文件：549.785 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
TSMT8
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TSMT8
Package Size[mm]：
3.0x2.8 (t=0.8)
Applications：
Switching
Number of terminal：
8
Polarity：
Pch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-12
Drain Current ID[A]：
-3.5
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)：
0.075
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
0.041
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.031
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.075
Total gate charge Qg[nC]：
22.0
Power Dissipation (PD)[W]：
1.5
Drive Voltage[V]：
-1.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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