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QS6Z5

Complex Transistor(BIP+BIP)

在超小型封装中内藏2个晶体管。适用于从差动增幅回路到高频水晶振动器,起动器等各种用途。 •增幅用超小型复合三极管;

ROHM

罗姆

QS6Z5

丝印:TR;Package:TSMT6;Complex Midium Power Transistors (50V/1A)

文件:1.20235 Mbytes 页数:8 Pages

ROHM

罗姆

RU6Z5R

High efficiency switch mode power supplies

文件:465.79 Kbytes 页数:9 Pages

RUICHIPS

锐骏半导体

RU6Z5R

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.59168 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

RU6Z5R

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.08675 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • 封装:

    TSMT6

  • 包装数量:

    3000

  • 最小独立包装数量:

    3000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    SOT-457T

  • JEITA Package:

    SC-95

  • Number of terminal:

    6

  • Polarity:

    NPN+PNP

  • Collector-Emitter voltage VCEO1[V]:

    50

  • Collector current Io(Ic) [A]:

    1

  • Collector-Emitter voltage VCEO2[V]:

    -50

  • Collector current(continuous) IC2[A]:

    -1

  • hFE:

    180 to 450

  • hFE (Min.):

    180

  • hFE (Max.):

    450

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Equivalent (Single Part):

    2SAR553P / 2SCR553P

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    2.9x2.8 (t=1)

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ROHM
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更多QS6Z5供应商 更新时间2025-10-24 13:02:00