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QS6U22

丝印:U22;Package:SOT-26;Small switching (−20V, −1.5A)

文件:60.71 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

QS6U22

丝印:U22;Package:SOT-26;2.5V Drive PchSBD MOS FET

文件:89.5 Kbytes 页数:5 Pages

ROHM

罗姆

QS6U22

2.5V Drive Pch+SBD MOSFET

电界效果晶体管MOSFET。通过融合采用细微流程的低阻值MOSFET与肖特基二极管(SBD)形成了多种产品线来对应多样的市场需求。 •实现以2.9×2.8mm安装面积的高功率小空间的MOSFET;

ROHM

罗姆

QS6U22_1

2.5V Drive PchSBD MOS FET

文件:89.5 Kbytes 页数:5 Pages

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    TSMT6

  • 包装数量:

    3000

  • 最小独立包装数量:

    3000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    SOT-457T

  • JEITA Package:

    SC-95

  • Number of terminal:

    6

  • Polarity:

    Pch+Schottky

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    -20

  • Drain Current ID[A]:

    -1.5

  • RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.):

    0.31

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.):

    0.17

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.):

    0.155

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.31

  • Total gate charge Qg[nC]:

    3

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    0.9

  • Drive Voltage[V]:

    -2.5

  • Reverse voltage VR (Diode) [V]:

    20

  • Forward Current IF (Diode) [A]:

    0.7

  • Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]:

    3

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    2.9x2.8 (t=1)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM/罗姆
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更多QS6U22供应商 更新时间2026-1-19 17:05:00