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SMA6J11CA	文件：818.25 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountTransientVoltageSuppressors	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SMA6J11CA	文件：313.76 Kbytes Page：3 Pages	PeakPowerSurfaceMountTVS	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
SMA6J11CA	文件：274.66 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountTransientVoltageSuppressors	ANOVA Anova Technologies CO., LTD.	ANOVA
SMA6J11CA	文件：485.95 Kbytes Page：5 Pages	Glasspassivatedjunction	SEMITECHShanghai Semitech Semiconductor Co., Ltd 海晨启半导体上海晨启半导体有限公司	SEMITECH
SMA6J11CA	文件：374.998 Kbytes Page：5 Pages	600W11VTVStransientsuppressordiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
SMA6J11CA	文件：315.16 Kbytes Page：4 Pages	5V~85V,600WPeakPowerSurfaceMountTVS	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
SMA6J11CA-C	文件：313.76 Kbytes Page：3 Pages	PeakPowerSurfaceMountTVS	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
SMA6J11CA-Q	文件：159.05 Kbytes Page：6 Pages	SMA6J-QTransientVoltageSuppressorDiodeSeries Features SurfaceMountSMApackage StandoffVoltage:5to130volts PowerDissipation:600watts RoHScompliant* AEC-Q101compliant** Applications Protectionofpowerbuses ProtectionofI/Ointerfaces Overvoltagetransientprotection Telecom,computer,industrialandconsumerelectron	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
US6J11	文件：239.67 Kbytes Page：5 Pages	1.5VDrivePchPchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
QS6J11TR
功能描述：
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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