QS6J1数据手册ROHM中文资料规格书
QS6J1规格书详情
描述 Description
电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Pch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
特性 Features
• Low on - resistance.
• Built-in G-S Protection Diode.
• Small Surface Mount Package(TSMT6).
• Pb-free lead plating; RoHS compliant.
技术参数
- 制造商编号
:QS6J1
- 生产厂家
:ROHM
- 封装
:TSMT6
- 包装数量
:3000
- 最小独立包装数量
:3000
- 包装形态
:Taping
- RoHS
:Yes
- Package Code
:SOT-457T
- JEITA Package
:SC-95
- Number of terminal
:6
- Polarity
:Pch+Pch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
:-20
- Drain Current ID[A]
:-1.5
- RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)
:0.31
- RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
:0.17
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
:0.155
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
:0.31
- Total gate charge Qg[nC]
:3
- Power Dissipation (PD)[W]
:1.25
- Drive Voltage[V]
:-2.5
- Mounting Style
:Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]
:-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
:150
- Package Size [mm]
:2.9x2.8 (t=1)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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ROHM |
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ROHM |
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