QS5U21中文资料2.5V Drive Pch+SBD MOSFET数据手册ROHM规格书
QS5U21规格书详情
描述 Description
电界效果晶体管MOSFET。通过融合采用细微流程的低阻值MOSFET与肖特基二极管（SBD）形成了多种产品线来对应多样的市场需求。
特性 Features
•实现以2.9×2.8mm安装面积的高功率小空间的MOSFET
技术参数
- 制造商编号
：QS5U21
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：TSMT5
- 包装数量
：3000
- 最小独立包装数量
：3000
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Package Code
：SOT-25T
- Number of terminal
：5
- Polarity
：Pch+Schottky
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
：-20
- Drain Current ID[A]
：-1.5
- RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)
：0.26
- RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
：0.18
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
：0.16
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
：0.26
- Total gate charge Qg[nC]
：4.2
- Power Dissipation (PD)[W]
：0.9
- Drive Voltage[V]
：-2.5
- Reverse voltage VR (Diode) [V]
：20
- Forward Current IF (Diode) [A]
：1
- Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]
：3
- Mounting Style
：Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
- Package Size [mm]
：2.9x2.8 (t=1)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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