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QS5U34

1.8V Drive Nch+SBD MOSFET

电界效果晶体管MOSFET。通过融合采用细微流程的低阻值MOSFET与肖特基二极管(SBD)形成了多种产品线来对应多样的市场需求。 •实现以2.9×2.8mm安装面积的高功率小空间的MOSFET;

ROHM

罗姆

QS5U34

丝印:U34;Package:SOT-25;1.8V Drive NchSBD MOSFET

文件:88.93 Kbytes 页数:5 Pages

ROHM

罗姆

QS5W2TR

罗姆
SOT-25T

罗姆

QSB34CGR

onsemi / Fairchild
PLCC-2

onsemi / Fairchild

上传:深圳市诺美思科技有限公司

onsemi / Fairchild

QSB34ZR

ON/安森美
SMD,4x4.5mm

ON/安森美

技术参数

  • 封装:

    TSMT5

  • 包装数量:

    3000

  • 最小独立包装数量:

    3000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    SOT-25T

  • Number of terminal:

    5

  • Polarity:

    Nch+Schottky

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    20

  • Drain Current ID[A]:

    1.5

  • RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.):

    0.22

  • RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.):

    0.17

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.):

    0.13

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.22

  • Total gate charge Qg[nC]:

    1.8

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    0.9

  • Drive Voltage[V]:

    1.8

  • Reverse voltage VR (Diode) [V]:

    20

  • Forward Current IF (Diode) [A]:

    0.5

  • Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]:

    2

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    2.9x2.8 (t=1)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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