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RFPA2013TR7	文件：1.46775 Mbytes Page：20 Pages	GaAsHBTPowerAmplifier0.5W,400MHzto2700MHz	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RFSA2013TR7	文件：2.27956 Mbytes Page：17 Pages	VOLTAGECONTROLLEDATTENUATOR Features PatentedCircuitArchitecture Broadband50MHzto6000MHz FrequencyRange 30dBAttenuationRange +50dBmIIP3Typical +80dBmIIP2Typical High1dBCompression Point>+30dBm LowSupplyCurrent1mATypical 5VPowerSupply LinearindBControl Characteristic In	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
RFSA2013TR7	文件：2.094409 Mbytes Page：17 Pages	VOLTAGECONTROLLEDATTENUATOR	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
RFSA2013TR7	文件：2.27989 Mbytes Page：17 Pages	VOLTAGECONTROLLEDATTENUATOR	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD

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