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RN1113CT	文件：160.43 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingApplicationsInverterCircuitApplicationsInterfaceCircuitApplicationsDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN1113F	文件：166.28 Kbytes Page：5 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN1113FT	文件：113.54 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)(BiasResistorbuilt-inTransistor) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications. •High-densitymountispossiblebecauseofdeviceshousedinverythinTESMpackages. •Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducespartscount. Reducingthepartscountenablethemanufactureofever	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RSZ-1113	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
RSZ-1113HP	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
SD1113BD	文件：106.12 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEHIGH-VOLTAGED-MOSPOWERFETS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SD1113CHP	文件：106.12 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEHIGH-VOLTAGED-MOSPOWERFETS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SD1113DD	文件：106.12 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEHIGH-VOLTAGED-MOSPOWERFETS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SD1113HD	文件：106.12 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEHIGH-VOLTAGED-MOSPOWERFETS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SMD1113	文件：502.03 Kbytes Page：14 Pages	10-BitDataAcquisitionSystemforAutonomousEnvironmentalMonitoring INTRODUCTION TheSMD1102,SMD1103andSMD1113eachcontaina10-Bitdataacquisitionsystem(DAS)withdedicatedEEPROMalarmlimitstorage.ThethreedevicescommunicatewiththehostµPviaastandardtwo-wireI2Cserialinterface.AfterinitializationtheSMD1102/1103/1113canautomatically	SUMMIT Summit Microelectronics, Inc.	SUMMIT

详细参数

型号：
QRE1113GR_Q
功能描述：
光学开关（反射型，光电晶体管输出） Reflective Sensor
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
感应距离：
1 mm
输出设备：
Phototransistor 集电极—发射极最大电压
VCEO：
30 V
最大集电极电流：
20 mA
正向电压：
1.2 V
反向电压：
5 V
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 25 C
安装风格：
SMD/SMT
封装：
Reel

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更多QRE1113GR_Q供应商更新时间2025-5-29 22:38:00

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