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QRD1114

丝印:QRD1114;Package:PCB;Reflective Object Sensor

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ONSEMI

安森美半导体

QRD1114

丝印:QRD1114;Package:PCB;Reflective Object Sensor

文件:616.59 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

QRD1114

REFLECTIVE OBJECT SENSOR

Description The QRD1113/14 reflective sensor consists of an infrared emitting diode and an NPN silicon phototransistor mounted side by side in a black plastic housing. The on axis radiation of the emitter and the on-axis response of the detector are both perpendicular to the face of the QRD1113/1

文件:164.71 Kbytes 页数:4 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

QRD1114

Reflective Object Sensor

文件:456.41 Kbytes 页数:4 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

QRD1114

REFLECTIVE OBJECT SENSOR

文件:135.92 Kbytes 页数:3 Pages

QT

详细参数

  • 型号:

    QRD1114

  • 功能描述:

    光学开关(反射型,光电晶体管输出) PHOTO TRANS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 感应距离:

    1 mm

  • 输出设备:

    Phototransistor 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    30 V

  • 最大集电极电流:

    20 mA

  • 正向电压:

    1.2 V

  • 反向电压:

    5 V

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 最小工作温度:

    - 25 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多QRD1114供应商 更新时间2025-9-18 9:05:00