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QRD1114	文件：616.59 Kbytes Page：6 Pages	丝印：QRD1114；Package：PCB；Reflective Object Sensor 文件：616.59 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
QRD1114	文件：616.59 Kbytes Page：6 Pages	丝印：QRD1114；Package：PCB；Reflective Object Sensor 文件：616.59 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
QRD1114	文件：164.71 Kbytes Page：4 Pages	REFLECTIVE OBJECT SENSOR Description The QRD1113/14 reflective sensor consists of an infrared emitting diode and an NPN silicon phototransistor mounted side by side in a black plastic housing. The on axis radiation of the emitter and the on-axis response of the detector are both perpendicular to the face of the QRD1113/1 文件：164.71 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
QRD1114	文件：456.41 Kbytes Page：4 Pages	Reflective Object Sensor 文件：456.41 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
QRD1114	文件：135.92 Kbytes Page：3 Pages	REFLECTIVE OBJECT SENSOR 文件：135.92 Kbytes 页数：3 Pages	QT	QT

详细参数

型号：
QRD1114
功能描述：
光学开关（反射型，光电晶体管输出） PHOTO TRANS
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
感应距离：
1 mm
输出设备：
Phototransistor 集电极—发射极最大电压
VCEO：
30 V
最大集电极电流：
20 mA
正向电压：
1.2 V
反向电压：
5 V
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 25 C
安装风格：
SMD/SMT
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多QRD1114供应商更新时间2026-1-18 9:03:00

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