QPD2796数据手册Qorvo中文资料规格书
QPD2796规格书详情
描述 Description
Qorvo's QPD2796 is a discrete GaN on SiC HEMT which operates from 2.5–2.7 GHz. The device is a single stage matched power amplifier transistor.
The QPD2796 can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high efficiency systems.
QPD2796 can deliver PSAT of 200 W at 48 V operation.
Lead-free and ROHS compliant
特性 Features
• Frequency range: 2.5-2.7GHz
• Drain voltage: 48V
• Output power (P3dB): 200W
• Maximum drain efficiency: 72%
• Efficiency-Tuned P3dB gain: 20dB
应用 Application
• Active Antennas
• Micro Cell Base Station
• Macro Cell Base Station
• Wireless Communications
技术参数
- 制造商编号
：QPD2796
- 生产厂家
：Qorvo
- 频率最大值(MHz)
：2
- 增益(dB)
：23
- Psat(dBm)
：53
- PAE(%)
：72
- VD(V)
：48
- Idq(mA)
：360
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
QUALTEK |
23+ |
SIPDIP |
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Qorvo |
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