QPD2194数据手册Qorvo中文资料规格书
QPD2194规格书详情
描述 Description
The QPD2194 is a discrete GaN on SiC HEMT which operates from 1.8-2.2 GHz. The device is a single stage pre-matched power amplifier transistor.
The QPD2194 can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high efficiency systems.
QPD2194 can deliver PSAT of 371 W at +48 V operation.
Lead-free and ROHS compliant.
特性 Features
• Frequency Range: 1.8-2.2 GHz
• Operating Drain Voltage: +48 V
• Maximum Output Power (PSAT): 371 W
• Maximum Drain Efficiency: 78.8%
• Efficiency-Tuned P3dB Gain: 18.0 dB
• 2-lead, earless, ceramic flange NI400 package
应用 Application
• W-CDMA / LTE
• Macrocell Base Station, B3-B1
• Active Antenna
技术参数
- 制造商编号
：QPD2194
- 生产厂家
：Qorvo
- 频率最大值(MHz)
：2.2
- 增益(dB)
：21
- Psat(dBm)
：55.7
- 漏极效率(%)
：78.8
- VD(V)
：48
- Idq(mA)
：600
- 封装类型
：NI400
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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