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QPA1010	文件：1.30518 Mbytes Page：26 Pages	zzzzzzzzz7.9 ??11.0 GHz 15 W GaN Power Amplifier 文件：1.30518 Mbytes 页数：26 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO
QPA1010	文件：728.39 Kbytes Page：24 Pages	15 W GaN Power Amplifier 文件：728.39 Kbytes 页数：24 Pages	TriQuint	TriQuint
QPA1010	文件：300 bytes Page：1 Pages	7.9 - 11 GHz 15 Watt GaN Power Amplifier Qorvo's QPA1010 is an X-band high power MMIC amplifier fabricated on Qorvo's production 0.15um GaN on SiC process (QGaN15). The QPA1010 operates from 7.9 - 11 GHz and typically provides 15 W saturated output power with power-added efficiency of 38% and large-signal gain of 18 dB. This combinati • Frequency Range: 7.9 - 11 GHz\n• POUT: 42 dBm at PIN = 24 dBm\n• PAE: 38 % at PIN = 24 dBm\n• Large Signal Gain: 18 dB at PIN = 24 dBm\n• Small Signal Gain: 25 dB\n• Integrated Power Detector\n• Bias: VD = 24 V, IDQ = 600 mA, VG = -1.8 V Typical\n• Pulsed VD: PW = 100 us, DC = 10%\n• Packa;	Qorvo 威讯联合	Qorvo
QPA1010D	文件：1.16928 Mbytes Page：26 Pages	15 W GaN Power Amplifier 文件：1.16928 Mbytes 页数：26 Pages	TriQuint	TriQuint
QPA1010D	文件：1.27525 Mbytes Page：26 Pages	7.9 ??11.0 GHz 15 W GaN Power Amplifier 文件：1.27525 Mbytes 页数：26 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO
QPA1010DPCB4B01	文件：1.27525 Mbytes Page：26 Pages	7.9 ??11.0 GHz 15 W GaN Power Amplifier 文件：1.27525 Mbytes 页数：26 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO
QPA1010PCB4B01	文件：1.30518 Mbytes Page：26 Pages	zzzzzzzzz7.9 ??11.0 GHz 15 W GaN Power Amplifier 文件：1.30518 Mbytes 页数：26 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO
QPA1010S2	文件：1.30518 Mbytes Page：26 Pages	zzzzzzzzz7.9 ??11.0 GHz 15 W GaN Power Amplifier 文件：1.30518 Mbytes 页数：26 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO
QPA1010D	文件：300 bytes Page：1 Pages	7.9 - 11 GHz 15 Watt GaN Power Amplifier Qorvo's QPA1010D is an X-band high power MMIC amplifier fabricated on Qorvo's production 0.15um GaN on SiC process (QGaN15). The QPA1010D operates from 7.9 - 11 GHz and typically provides 15 W saturated output power with power-added efficiency of 38% and large-signal gain of 18 dB. This combina • Frequency Range: 7.9 - 11 GHz\n• POUT: 42 dBm at PIN = 24 dBm\n• PAE: 38 % at PIN = 24 dBm\n• Large Signal Gain: 18 dB at PIN = 24 dBm\n• Small Signal Gain: 25 dB\n• Integrated Power Detector\n• Bias: VD = 24 V, IDQ = 600 mA, VG = -1.9 V Typical\n• Pulsed VD: PW = 100 us, DC = 10%\n• Chip ;	Qorvo 威讯联合	Qorvo

技术参数

频率最大值(GHz)：
11
Psat(dBm)：
42
增益(dB)：
25
PAE(%)：
38
电压(V)：
24
电流(mA)：
600
封装类型：
QFN
封装(mm)：
4.5 x 5.0 x 1.72
RoHS：
Yes
Lead Free：
Yes
Halogen Free：
Yes
ITAR Restricted：
No
ECCN：
3A001.b.2.b.2

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