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QN0103M6N	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel 100V Fast Switching MOSFET The QN0103M6N is a high performance trench N-channel MOSFET which utilizesextremely high cell density to provide low Rdson and gate charge characteristics.It is ideally suited to support synchronous buck converter applications. \n\n The QN0103M6N meets RoHS and Green Product requirements while • Advanced high cell density Trench technology\n• Super Low Gate Charge\n• Excellent Cdv/dt effect decline\n• Green Device Available;	uPI(UBIQ) 力智电子	uPI(UBIQ)

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技术参数

Package Type：
SOP8
Configuration：
Single
MOSFET Type：
N
VDS (V)：
100
VGS (V)：
±20
Vth max. (V)：
2.5
RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V：
11
RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V：
15.6
Ciss (pF)：
2198
Coss (pF)：
501
Crss (pF)：
18
Qg(nC)：
32.2
Qgs(nC)：
6.2
Qgd(nC)：
5
ID (A) TA=25℃：
8.8
ID (A) TA=70℃：
5.5
EAS.max(mj)：
171.1
PD (W) TA=25℃：
1.5
ESD Diode：
NO
Schottky Diode：
NO

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