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SOT-363

Multi-ChipTRANSISTOR(NPN/PNP)

FEATURES Powerdissipation PCM:200mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:200/-200mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:75/-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

SOT-363

Multi-ChipGeneralPurposeTRANSISTOR(PNPandNPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:200mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:±200mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:180/-160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

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SOT-363

SWITCHINGDIODE

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更多QMB363T供应商 更新时间2025-5-28 16:47:00