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SOT-363	文件：176.23 Kbytes Page：1 Pages	Multi-ChipTRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
SOT-363	文件：171.27 Kbytes Page：1 Pages	Multi-ChipTRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
SOT-363	文件：277.34 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiodes Features ◇Fastswitchingspeed. ◇Forgeneralpurposeswitchingapplication. ◇Ultra-smallsurfacemountpackage. ◇Highconductance. Applications ◇Forgeneralpurposeswitchingapplication.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SOT-363	文件：359.76 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SOT-363	文件：139.77 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHINGDIODE FEATURES PowerdissipationPD:200mW(Tamb=25℃) CollectorcurrentIF:150mA Collector-basevoltageVR:75V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
SOT-363	文件：316.81 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountFastSwitchingDiodes Features ◇Fastswitchingspeed. ◇Forgeneralpurposeswitchingapplication. ◇Ultra-smallsurfacemountpackage. ◇Highconductance. Applications ◇Forgeneralpurposeswitchingapplication.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SOT-363	文件：671.71 Kbytes Page：38 Pages	Low-powersleepmodeOn-hooktransmissionLooporgroundstartoperationSmoothpolarityreversal	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SOT-363	文件：347.5 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountFastSwitchingDiodes Features ◇Fastswitchingspeed. ◇Forgeneralpurposeswitchingapplication. ◇Ultra-smallsurfacemountpackage. ◇Highconductance.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SOT-363	文件：294.01 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes Features ◇Lowforwardvoltagedrop. ◇Guardringconstructionfortransientprotection. ◇Fastswitching. ◇Lowleakagecurrent. ◇Threefullyisolatedschottkydiodes. ◇Alsoavailableinleadfreeversion Applications ◇Highspeedswitching.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SOT-363	文件：134.03 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.15W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN

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