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QM6004P	文件：1.10198 Mbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.10198 Mbytes 页数：3 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
R6004CND	文件：1.16378 Mbytes Page：6 Pages	10V Drive Nch MOSFET 文件：1.16378 Mbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6004CND	文件：299.19 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.19 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6004END	文件：2.33504 Mbytes Page：14 Pages	Nch 600V 4A Power MOSFET 文件：2.33504 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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更多QM6004P供应商更新时间2026-1-22 20:01:00

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