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QM6016D	文件：2.23499 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
QM6016P	文件：1.55442 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
QM6016S	文件：354.52 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch60VFastSwitchingMOSFETs	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
QM6016S	文件：964.92 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RH6016	文件：743.183 Kbytes Page：10 Pages	单通道触摸芯片	RATORato Technology Corporation 劲扬台湾劲扬股份有限公司 PDF上传者：深圳市旺财半导体有限公司	RATO
RH6016MW	文件：209.98 Kbytes Page：6 Pages	Dual3.2MHz,0.8V/μsLowPower,Over-The-TopPrecisionOpAmp	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
RH6016S	文件：209.98 Kbytes Page：6 Pages	Dual3.2MHz,0.8V/μsLowPower,Over-The-TopPrecisionOpAmp	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
RJP6016JPE	文件：90.61 Kbytes Page：7 Pages	600V-40A-NChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features ForAutomotiveapplication AEC-Q101compliant Lowcollectortoemittersaturationvoltage. VCE(sat)=1.7Vtyp.(IC=20A,VGE=15V,Ta=25C)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
S6016N	文件：222.45 Kbytes Page：12 Pages	SCRs GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	Teccor Teccor Electronics	Teccor
S6016N	文件：212.84 Kbytes Page：12 Pages	SCRs(1Ato70A) GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse

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