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QM6006F

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.48673 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

QM6006M6

N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs

文件:261.57 Kbytes 页数:4 Pages

UPI

力智电子

QM6006P

N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs

文件:411.55 Kbytes 页数:4 Pages

UPI

力智电子

QM6006S

N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs

文件:356.67 Kbytes 页数:4 Pages

UPI

力智电子

QM6006S

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.41137 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

QM6007G

P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs

文件:263.47 Kbytes 页数:4 Pages

UPI

力智电子

QM6007K

P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs

文件:237.14 Kbytes 页数:4 Pages

UPI

力智电子

QM6007S

P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.25979 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

QM6008D

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:674.85 Kbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

QM6008D

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.00435 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

详细参数

  • 型号:

    QM6

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全称:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    HIGH POWER SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MIT
24+
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MITSUBIS
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600A350V
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更多QM6供应商 更新时间2025-12-17 15:33:00