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QM3301S	文件：1.20294 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.20294 Mbytes 页数：14 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
QM3301S	文件：391.28 Kbytes Page：7 Pages	N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs 文件：391.28 Kbytes 页数：7 Pages	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
QM3301S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low Voltage Power MOSFET < 40V The QM3301S is the highest performance trenchN-ch and P-ch MOSFETs withextreme high cell d ensity , which provide excellent RDSON and gatecharge for mostof the synchronous buck converter a pplications.\n\n The QM3301S meet the RoHS and Green Product r equirement , 100% EAS guaranteedwith fu • Advanced high cell density Trench technology.\n• Super Low Gate Charge.\n• Excellent CdV/dt effect decline.\n• 100% EAS Guaranteed\n• Green Device Available.;	uPI(UBIQ) 力智	uPI(UBIQ)
SD3301	文件：648.99 Kbytes Page：4 Pages	1W & 3W Light touch switch LED / head light drive 文件：648.99 Kbytes 页数：4 Pages	SHOUDING 首鼎	SHOUDING
SD3301AD	文件：110.49 Kbytes Page：3 Pages	N CHNNEL ENHANCEMENT MODE D MOS POWER FETS 文件：110.49 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SD3301BD	文件：110.49 Kbytes Page：3 Pages	N CHNNEL ENHANCEMENT MODE D MOS POWER FETS 文件：110.49 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

技术参数

Package Type：
SOP8
Configuration：
Complementary
MOSFET Type：
N/P
VDS (V)：
30/-30
VGS (V)：
±20/±20
Vth max. (V)：
2.5/-2.5
RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V：
20/45
RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V：
30/85
Ciss (pF)：
572/632
Coss (pF)：
81/100
Crss (pF)：
65/74
Qg(nC)：
7.2/6.4
Qgs(nC)：
1.4/2.7
Qgd(nC)：
2.2/3.1
ID (A) TA=25℃：
7/-4.7
ID (A) TA=70℃：
5.5/-3.8
EAS.max(mj)：
72/59
PD (W) TA=25℃：
1.5/1.5
ESD Diode：
NO
Schottky Diode：
NO

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