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技术参数

Package Type：
TO252
Configuration：
Single
MOSFET Type：
N
VDS (V)：
30
VGS (V)：
±20
Vth max. (V)：
2.5
RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V：
12
RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V：
18
Ciss (pF)：
940
Coss (pF)：
131
Crss (pF)：
109
Qg(nC)：
9.8
Qgs(nC)：
4.2
Qgd(nC)：
3.6
ID (A) Tc=25℃：
43
ID (A) Tc=100℃：
30
ID (A) TA=25℃：
11
ID (A) TA=70℃：
9
EAS.max(mj)：
53
PD(W) Tc=25℃：
37.5
PD (W) TA=25℃：
2.42
ESD Diode：
NO
Schottky Diode：
NO

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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