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QM3010K	文件：475.42 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：475.42 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
QM3010D	文件：236.58 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 文件：236.58 Kbytes 页数：4 Pages	UPI 力智电子	UPI
QM3010D	文件：988.22 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：988.22 Kbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
QM3010K	文件：265.24 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 文件：265.24 Kbytes 页数：4 Pages	UPI 力智电子	UPI
QM3010U	文件：959.95 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：959.95 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
QM3012NB	文件：258.05 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 文件：258.05 Kbytes 页数：4 Pages	UPI 力智电子	UPI
QM3014D	文件：236.97 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 文件：236.97 Kbytes 页数：4 Pages	UPI 力智电子	UPI
QM3014D	文件：1.01563 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01563 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
QM3014D	文件：1.14363 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.14363 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
QM3014M3	文件：222.16 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 文件：222.16 Kbytes 页数：4 Pages	UPI 力智电子	UPI

技术参数

Package Type：
SOT23
Configuration：
Single
MOSFET Type：
N
VDS (V)：
30
VGS (V)：
±20
Vth max. (V)：
2.5
RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V：
55
RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V：
75
Ciss (pF)：
220
Coss (pF)：
38
Crss (pF)：
32
Qg(nC)：
2.73
Qgs(nC)：
0.82
Qgd(nC)：
1.02
ID (A) TA=25℃：
3.5
ID (A) TA=70℃：
2.8
PD (W) TA=25℃：
1
PD (W) TA=70℃：
0.64
ESD Diode：
NO
Schottky Diode：
NO

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	QM3010K	UBIQ/力智	25+	SOT-23	47212	UBIQ/力智全新特价QM3010K即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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