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QM3004D

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.01674 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

QM3004D

N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs

文件:167.05 Kbytes 页数:4 Pages

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力智电子

QM3004D

N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs

The QM3004D is the highest performance trenchN-ch MOSFETs with extremehigh cell density ,which provide excellent RDSON and gate chargefor most of thesynchronous buck converterapplications.\n\n The QM3004D meet the RoHS and Green Productrequirement , 100% EAS guaranteedwith fullfunction reli • Advanced high cell density Trench technology.\n• Super Low Gate Charge.\n• Excellent CdV/dt effect decline.\n• 100% EAS Guaranteed\n• Green Device Available.;

uPI(UBIQ)

力智电子

QM3004S

N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs

文件:301.73 Kbytes 页数:4 Pages

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力智电子

QM3004U

N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs

文件:223.63 Kbytes 页数:4 Pages

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力智电子

QM3004U

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:959.95 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • Package Type:

    TO252

  • Configuration:

    Single

  • MOSFET Type:

    N

  • VDS (V):

    30

  • VGS (V):

    ±20

  • Vth max. (V):

    2.5

  • RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V:

    8.5

  • RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V:

    14

  • Ciss (pF):

    1317

  • Coss (pF):

    163

  • Crss (pF):

    131

  • Qg(nC):

    12.6

  • Qgs(nC):

    4.2

  • Qgd(nC):

    5.1

  • ID (A) Tc=25℃:

    55

  • ID (A) Tc=100℃:

    40

  • ID (A) TA=25℃:

    13.6

  • ID (A) TA=70℃:

    11.4

  • EAS.max(mj):

    130

  • PD(W) Tc=25℃:

    41

  • PD (W) TA=25℃:

    2.42

  • ESD Diode:

    NO

  • Schottky Diode:

    NO

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更多QM3004D供应商 更新时间2025-12-23 16:04:00