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QM3003K	文件：494.8 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：494.8 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
QM3003K	文件：311.71 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 文件：311.71 Kbytes 页数：4 Pages	UPI 力智电子	UPI
QM3003K	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs The QM3003K is the highest performance trenchP-ch MOSFETs with extremehigh cell density ,which provide excellent RDSON and gate charge f or most of thesynchronous buck converter a pplications.\n\n The QM3003K meet the RoHS and Green Product r equirement , 100% EAS guaranteedwith full f unct • Advanced high cell density Trench technology.\n• Super Low Gate Charge.\n• Excellent CdV/dt effect decline.\n• Green Device Available.;	uPI(UBIQ) 力智电子	uPI(UBIQ)
QM3003S	文件：247.11 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 文件：247.11 Kbytes 页数：4 Pages	UPI 力智电子	UPI
QM3003S	文件：1.16637 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.16637 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
QM3003V	文件：450.29 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch 文件：450.29 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Package Type：
SOT23
Configuration：
Single
MOSFET Type：
P
VDS (V)：
-30
VGS (V)：
±20
Vth max. (V)：
-2.5
RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V：
32
RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V：
45
Ciss (pF)：
1345
Coss (pF)：
194
Crss (pF)：
158
Qg(nC)：
12.6
Qgs(nC)：
4.52
Qgd(nC)：
4.72
ID (A) TA=25℃：
-4.8
ID (A) TA=70℃：
-3.8
PD (W) TA=25℃：
1
PD (W) TA=70℃：
0.64
ESD Diode：
NO
Schottky Diode：
NO

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