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QM3002M3

Low Voltage Power MOSFET < 40V

The QM3002M3 is the highest performancetrench N-ch MOSFETs with extremehigh celldensity , which provide excellent RDSON andgate charge for most of thesynchronous buckconverter applications.\n\n The QM3002M3 meet the RoHS and GreenProduct requirement , 100% EAS guaranteedwith full function r • Advanced high cell density Trench technology.\n• Super Low Gate Charge.\n• Excellent CdV/dt effect decline.\n• 100% EAS Guaranteed\n• Green Device Available.;

uPI(UBIQ)

力智电子

QM3002M3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.02102 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

QM3006D

SOT252

UBIQ

QM3006D

SOT252

UBIQ

QM3006M6

QFN8

UBIQ

技术参数

  • Package Type:

    PRPAK3*3

  • Configuration:

    Single

  • MOSFET Type:

    N

  • VDS (V):

    30

  • VGS (V):

    ±20

  • Vth max. (V):

    2.5

  • RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V:

    18

  • RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V:

    30

  • Ciss (pF):

    572

  • Coss (pF):

    80

  • Crss (pF):

    65

  • Qg(nC):

    6.2

  • Qgs(nC):

    2.4

  • Qgd(nC):

    2.5

  • ID (A) Tc=25℃:

    28

  • ID (A) Tc=100℃:

    18

  • ID (A) TA=25℃:

    7.4

  • ID (A) TA=70℃:

    6

  • EAS.max(mj):

    72

  • PD(W) Tc=25℃:

    20.8

  • PD (W) TA=25℃:

    1.67

  • ESD Diode:

    NO

  • Schottky Diode:

    NO

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更多QM3002M3供应商 更新时间2026-1-22 20:02:00