QM2710D数据手册uPI(UBIQ)中文资料规格书
QM2710D规格书详情
描述 Description
The QM2710D is a high performance trench N-channel MOSFET which utilizesextremely high cell density to provide low Rdson and gate charge characteristics.It is ideally suited to support most of the small power switching and load switchapplications.
The QM2710D meets RoHS and Green Product requirements while supporting full functionreliability.
特性 Features
• Advanced high cell density Trench technology , Super Low Gate Charge
• Excellent CdV/dt effect decline
• Green Device Available
应用 Application
• High Frequency Point-of-Load Synchronous Small power switching for MB/NB/UMPC/VGA
• Networking DC-DC Power System
• Load Switch
技术参数
- 制造商编号
：QM2710D
- 生产厂家
：uPI(UBIQ)
- Package Type
：TO252
- Configuration
：Single
- MOSFET Type
：N
- VDS (V)
：20
- VGS (V)
：±16
- Vth max. (V)
：1.2
- RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V
：28
- RDS(ON) (mΩ)max. at VGS2.5V
：38
- Ciss (pF)
：574
- Coss (pF)
：68.7
- Crss (pF)
：61
- Qg(nC)
：8.5
- Qgs(nC)
：1.64
- Qgd(nC)
：3.1
- ID (A) Tc=25℃
：22
- ID (A) Tc=100℃
：14
- ID (A) TA=25℃
：7
- ID (A) TA=70℃
：5.5
- PD(W) Tc=25℃
：21
- PD (W) TA=25℃
：2
- ESD Diode
：NO
- Schottky Diode
：NO
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