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QM0007D	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs The QM0007D is the highest performance trenchP-ch MOSFETs with extremehigh cell density ,which provide excellent RDSON and gate chargefor most of thesynchronous buck converterapplications.\n\n The QM0007D meet the RoHS and Green Productrequirement with full function reliabilityapproved. • Advanced high cell density Trench technology.\n• Super Low Gate Charge.\n• Excellent CdV/dt effect decline.\n• Green Device Available.;	uPI(UBIQ) 力智电子	uPI(UBIQ)
QM0007D	文件：230.91 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs 文件：230.91 Kbytes 页数：4 Pages	UPI 力智电子	UPI
QM0007G	文件：218.05 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs 文件：218.05 Kbytes 页数：4 Pages	UPI 力智电子	UPI
QM0007K	文件：227.15 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs 文件：227.15 Kbytes 页数：4 Pages	UPI 力智电子	UPI
QPD0007	文件：1.67271 Mbytes Page：15 Pages	20 W, 48 V, DC – 5 GHz, GaN RF Transistor Key Features • Operating Frequency Range: DC – 5 GHz • Operating Drain Voltage: +48 V • Maximum Output Power (P3dB): 20 W (1) • Maximum Drain Efficiency: 73 (1) • Efficiency-Tuned Back off Gain: 19 dB (1) • 4.5 x 4.0 mm DFN Package 文件：1.67271 Mbytes 页数：15 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO

技术参数

Package Type：
TO252
Configuration：
Single
MOSFET Type：
P
VDS (V)：
-100
VGS (V)：
±20
Vth max. (V)：
-2.5
RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V：
650
RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V：
700
Ciss (pF)：
553
Coss (pF)：
29
Crss (pF)：
20
Qg(nC)：
4.5
Qgs(nC)：
1.14
Qgd(nC)：
1.5
ID (A) Tc=25℃：
-4.1
ID (A) Tc=100℃：
-2.6
ID (A) TA=25℃：
-1.3
ID (A) TA=70℃：
-1
PD(W) Tc=25℃：
20.8
PD (W) TA=25℃：
2
ESD Diode：
NO
Schottky Diode：
NO

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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