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QM0004U	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel 100V Fast Switching MOSFET The QM0004U is a high performance trench N-channel MOSFET which utilizesextremely high cell density to provide low Rdson and gate charge characteristics.It is ideally suited to support synchronous buck converter applications. \n\n The QM0004U meets RoHS and Green Product requirements while supp • Advanced high cell density Trench technology\n• Super Low Gate Charge\n• Excellent CdV/dt effect decline\n• Green Device Available;	uPI(UBIQ) 力智电子	uPI(UBIQ)
QM0004U	文件：1.17866 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.17866 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
QPX0004D	文件：927.21 Kbytes Page：12 Pages	24-34 GHz I/Q Mixer 文件：927.21 Kbytes 页数：12 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO
QTAP-0004	文件：206.19 Kbytes Page：1 Pages	APG0 outlet check-valve assembly 文件：206.19 Kbytes 页数：1 Pages	RALSTON	RALSTON
QTHP-0004	文件：270.62 Kbytes Page：1 Pages	HP, XH pump liquid reservoir bolt, washer and o-ring 文件：270.62 Kbytes 页数：1 Pages	RALSTON	RALSTON

技术参数

Package Type：
TO251
Configuration：
Single
MOSFET Type：
N
VDS (V)：
100
VGS (V)：
±20
Vth max. (V)：
2.5
RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V：
112
RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V：
120
Ciss (pF)：
1535
Coss (pF)：
60
Crss (pF)：
37
Qg(nC)：
26.2
Qgs(nC)：
4.6
Qgd(nC)：
5.1
ID (A) Tc=25℃：
12
ID (A) Tc=100℃：
7.7
ID (A) TA=25℃：
3
ID (A) TA=70℃：
2.4
EAS.max(mj)：
7.3
PD(W) Tc=25℃：
34.7
PD (W) TA=25℃：
2
ESD Diode：
NO
Schottky Diode：
NO

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