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3377	文件：100.33 Kbytes Page：1 Pages	Heyco짰NylonCableClamps	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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AH3377	文件：827.91 Kbytes Page：15 Pages	HIGHVOLTAGELOWSENSITIVITYHALLEFFECTUNIPOLARSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AH3377-P-A	文件：827.91 Kbytes Page：15 Pages	HIGHVOLTAGELOWSENSITIVITYHALLEFFECTUNIPOLARSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AH3377-P-A	文件：838.69 Kbytes Page：15 Pages	HIGHVOLTAGELOWSENSITIVITYHALLEFFECTUNIPOLARSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AH3377-P-B	文件：838.69 Kbytes Page：15 Pages	HIGHVOLTAGELOWSENSITIVITYHALLEFFECTUNIPOLARSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AH3377-P-B	文件：827.91 Kbytes Page：15 Pages	HIGHVOLTAGELOWSENSITIVITYHALLEFFECTUNIPOLARSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
C3377	文件：120.84 Kbytes Page：1 Pages	2SC2673 FTR•FTL Lowprofileflat-packageforlimitedspeceapplications. Tapetypecanbeusedonautomatedline.Bulktypeisalsoavailable.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CHU3377	文件：183.78 Kbytes Page：6 Pages	W-bandMultifunction:Multiplier/MPA	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors	UMS
CHU3377	文件：125.49 Kbytes Page：4 Pages	W-bandMultifunction:Multiplier/MPA	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors	UMS
INN3377C	文件：3.90753 Mbytes Page：58 Pages	DigitallyControllableOff-LineCV/CCQRFlybackSwitcherICwithIntegratedHigh-VoltageSwitch,SynchronousRectificationandFluxLinkFeedback DigitallyControlledviaI2CInterface •Dynamicadjustmentofpowersupplyvoltageandcurrent •Telemetryforpowersupplystatusandfaultmonitoring •Comprehensivesetofconfigurableprotectionfeatures •PowiGaN™technology–upto100Wwithoutheatsinks(INN3378C, INN3379CandINN337	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
K3377	文件：960.75 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
K3377	文件：42.07 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3377isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •LowOn-stateResistance RDS(on)1=44mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=78mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=10A) •LowCiss:Ciss=760pFTY	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
K3377	文件：46.19 Kbytes Page：1 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features •Lowon-resistance RDS(on)1=44mMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=78mMAX.(VGS=4.0V,ID=10A) •LowCiss:Ciss=760pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
K3377	文件：130.15 Kbytes Page：1 Pages	Lowon-resistance	TYSEMITaiwan TY Semiconductor Co. , Ltd. 台湾TY半导体台湾TY半导体有限公司	TYSEMI
MAX3377EEBC+T	文件：490.06 Kbytes Page：31 Pages	±15kVESD-Protected,1μA,16Mbps,Dual/QuadLow-VoltageLevelTranslatorsinUCSP	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX3377EEBCT	文件：357.68 Kbytes Page：26 Pages	±15kVESD-Protected,1uA,16Mbps,DualQuadLow-VoltageLevelTranslatorsinUCSP	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
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MAX3377EEBC-T	文件：533.91 Kbytes Page：25 Pages	짹15kVESD-Protected,1關A,16Mbps,Dual/QuadLow-VoltageLevelTranslatorsinUCSP GeneralDescription TheMAX3372E–MAX3379EandMAX3390E–MAX3393E±15kVESD-protectedleveltranslatorsprovidethelevel shiftingnecessarytoallowdatatransferinamultivoltagesystem.Externallyappliedvoltages,VCCandVL,setthe logiclevelsoneithersideofthedevice.Alow-voltage	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多QLMP-3377供应商更新时间2024-6-19 16:06:00

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