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QH8KC6中文资料60V 5.5A, Dual Nch+Nch, TSMT8, 功率MOSFET数据手册ROHM规格书

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厂商型号

QH8KC6

功能描述

60V 5.5A, Dual Nch+Nch, TSMT8, 功率MOSFET

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-24 8:31:00

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QH8KC6规格书详情

描述 Description

QH8KC6是一款60V耐压的Nch+Nch双极MOSFET,专为FA设备等工业设备和基站(冷却风扇)用的电机等24V输入设备而设计。通过搭载比ROHM以往产品的导通电阻低58%的Nch MOSFET,作为Nch+Nch双极MOSFET也实现了低导通电阻,这将有助于进一步降低各种设备的功耗。

特性 Features

• Low on-resistance
• Small Surface Mount Package (TSMT8)
• Pb-free lead plating ; RoHS compliant
• Halogen Free

技术参数

  • 制造商编号

    :QH8KC6

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TSMT8

  • 包装数量

    :3000

  • 最小独立包装数量

    :3000

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Package Code

    :TSMT8

  • Number of terminal

    :8

  • Polarity

    :Nch+Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]

    :60

  • Drain Current ID[A]

    :5.5

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

    :0.031

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

    :0.023

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

    :0.031

  • Total gate charge Qg[nC]

    :3.9

  • Power Dissipation (PD)[W]

    :1.5

  • Drive Voltage[V]

    :4.5

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

  • Package Size [mm]

    :3x2.8 (t=0.85)

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