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QH12TZ600中文资料超快速硅二极管VRRM     - 600 VIF(AVG)   - 3 A - 12 AQRR       - 5.9 nC - 8.9 nC数据手册PI规格书

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厂商型号

QH12TZ600

参数属性

QH12TZ600 封装/外壳为TO-220-2;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC

功能描述

超快速硅二极管VRRM     - 600 VIF(AVG)   - 3 A - 12 AQRR       - 5.9 nC - 8.9 nC

封装外壳

TO-220-2

制造商

PI Picker Components

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-23 22:59:00

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QH12TZ600规格书详情

描述 Description

Qspeed™ diodes have the lowest QRR of any Silicon diode. Their recovery characteristics increase efficiency, reduce EMI and eliminate snubbers.

特性 Features

Features
·Now available in TO-263 (D2PAK) package
·Low QRR, Low IRRM, Low tRR
·High dIF/dt capable (1000A/µs)
·Soft recovery

Benefits
·Increases efficiency
·Eliminates need for snubber circuits
·Reduces EMI filter component size & count
·Enables extremely fast switching

应用 Application

·Power Factor Correction (PFC) Boost Diode
·Motor drive circuits
·DC-AC Inverters

技术参数

  • 制造商编号

    :QH12TZ600

  • 生产厂家

    :PI

  • 正向电流 (平均)

    :12 A

  • 正向电压 (典型)

    :2.300 V

  • IC封装

    :TO-220AC

  • 安装类型

    :Surface Mount

  • 产品类型

    :Passive

  • 运作温度 (最大)

    :150 °C

  • 运作温度 (最小)

    :-55 °C

  • 拓扑结构

    :Boost PFC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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