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QH08BZ600数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

QH08BZ600

参数属性

QH08BZ600 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

功能描述

超快速硅二极管VRRM     - 600 VIF(AVG)   - 3 A - 12 AQRR       - 5.9 nC - 8.9 nC

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

PI Picker Components

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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QH08BZ600规格书详情

描述 Description

Qspeed™ diodes have the lowest QRR of any Silicon diode. Their recovery characteristics increase efficiency, reduce EMI and eliminate snubbers.

特性 Features

Features\r
·Now available in TO-263 (D2PAK) package\r
·Low QRR, Low IRRM, Low tRR\r
·High dIF/dt capable (1000A/µs)\r
·Soft recovery\r
\r
Benefits\r
·Increases efficiency\r
·Eliminates need for snubber circuits\r
·Reduces EMI filter component size & count\r
·Enables extremely fast switching

应用 Application

·Power Factor Correction (PFC) Boost Diode\r
·Motor drive circuits\r
·DC-AC Inverters

技术参数

  • 制造商编号

    :QH08BZ600

  • 生产厂家

    :PI

  • 正向电流 (平均)

    :8 A

  • 正向电压 (典型)

    :2.200 V

  • IC封装

    :TO-263AB

  • 安装类型

    :Through Hole

  • 产品类型

    :Passive

  • 运作温度 (最大)

    :150 °C

  • 运作温度 (最小)

    :-55 °C

  • 拓扑结构

    :Boost PFC

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