QH08BZ600中文资料超快速硅二极管VRRM - 600 VIF(AVG) - 3 A - 12 AQRR - 5.9 nC - 8.9 nC数据手册PI规格书
| 厂商型号 |
QH08BZ600 |
| 参数属性 | QH08BZ600 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB |
| 功能描述 | 超快速硅二极管VRRM - 600 VIF(AVG) - 3 A - 12 AQRR - 5.9 nC - 8.9 nC |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | PI Picker Components |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 14:32:00 |
| 人工找货 | QH08BZ600价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
QH08BZ600规格书详情
描述 Description
Qspeed™ diodes have the lowest QRR of any Silicon diode. Their recovery characteristics increase efficiency, reduce EMI and eliminate snubbers.
特性 Features
Features
·Now available in TO-263 (D2PAK) package
·Low QRR, Low IRRM, Low tRR
·High dIF/dt capable (1000A/µs)
·Soft recovery
Benefits
·Increases efficiency
·Eliminates need for snubber circuits
·Reduces EMI filter component size & count
·Enables extremely fast switching
应用 Application
·Power Factor Correction (PFC) Boost Diode
·Motor drive circuits
·DC-AC Inverters
技术参数
- 制造商编号
：QH08BZ600
- 生产厂家
：PI
- 正向电流 (平均)
：8 A
- 正向电压 (典型)
：2.200 V
- IC封装
：TO-263AB
- 安装类型
：Through Hole
- 产品类型
：Passive
- 运作温度 (最大)
：150 °C
- 运作温度 (最小)
：-55 °C
- 拓扑结构
：Boost PFC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
POWER |
24+ |
TO-220 |
10000 |
原装香港现货POWER专业经销 |
询价 | ||
POWER |
21+ |
TO-220 |
10000 |
绝对公司现货,不止网上数量!原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
POWER INTEGRATIONS |
24+ |
con |
30 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
询价 | ||
POWERINTEGRATIONS |
TO-263AB |
22+ |
56000 |
全新原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
POWER |
1845+ |
TO-263 |
500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
POWER |
2023+ |
TO-263 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
Microchip/微芯 |
25+ |
30000 |
原装正品,现货优势 |
询价 | |||
POWER |
TO-220 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
Power Integrations(帕沃英蒂格 |
2405+ |
Original |
50000 |
只做原装优势现货库存,渠道可追溯 |
询价 | ||
POWER |
24+ |
TO-220 |
10000 |
原装柜台现货特价热卖 |
询价 |
