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QSF-502-C	文件：540.83 Kbytes Page：15 Pages	QSF-502GigamonSystemsCompatibleTransceiverQSFP40GBase-SR4(850nm,MMF,150m,MTP/MPO,DOM) Features ATGBICSQSF-502 40GBase-SR4supportsadistanceofupto150movermulti-modefibre (MMF)usingawavelengthof850nmviaanMPOconnector. Digitalopticalmonitoring(DOM)supportisalsopresentenablingreal-time monitoringoftheparametersofthefibre optictransceiver. Ourprodu	ATGBICS ATGBICS by Approved Technology	ATGBICS
RA502	文件：101.83 Kbytes Page：2 Pages	50.0AmpHighCurrentPlasticSiliconRectifier50to1000Volts Features ●LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ●CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassification94V-0andMSLRating1 ●LowCostConstructionUtilizingVoid-freeMoldedPlasticTechnique ●HighSurgeCapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
RA502	文件：133.53 Kbytes Page：3 Pages	50.0AmpStandardRectifier50to1000Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
RA502	文件：231.34 Kbytes Page：2 Pages	AUTOMOTIVEBUTTONDIODE FEATURES .Highsurgecapability .Highcurrentcapability .Lowleakage Hightemperaturesolderingguaranteed：250℃for10 seconds	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
RA502GP	文件：119.84 Kbytes Page：2 Pages	50.0AmpHighCurrentGlassPassivatedRectifier50to1000Volts Features ●LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ●CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassification94V-0andMSLRating1 ●LowCostConstructionUtilizingVoid-freeMoldedPlasticTechnique ●HighSurgeCapability,	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
RA502GP	文件：109.39 Kbytes Page：3 Pages	50.0AmpHighCurrentGlassPassivatedRectifier50to1000Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
RAS502	文件：231.34 Kbytes Page：2 Pages	AUTOMOTIVEBUTTONDIODE FEATURES .Highsurgecapability .Highcurrentcapability .Lowleakage Hightemperaturesolderingguaranteed：250℃for10 seconds	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
RCS-502	文件：301.67 Kbytes Page：2 Pages	RSSeries--StandardModels	IET IET Labs Inc.	IET
RKV502KG	文件：56.15 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVHFtuner Features •Highcapacitanceratio(n=14.5min)andsuitableforwidebandtuner. •LowseriesresistanceandgoodC-Vlinearity. •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKV502KJ	文件：57.45 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVHFtuner Features •Highcapacitanceratio(n=14.5min)andsuitableforwidebandtuner. •LowseriesresistanceandgoodC-Vlinearity. •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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