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QEB373	文件：130.509 Kbytes Page：4 Pages	SUBMINIATURE PLASTIC INFRARED EMITTING DIODE Features ■T-3/4(2mm)SurfaceMountPackage ■Tape&ReelOption(SeeTape&ReelSpecifications) ■LeadFormOptions:Gullwing,Yoke,Z-Bend ■NarrowEmissionAngle,24° ■Wavelength=875nm,AlGaAs ■ClearLens ■MatchedPhotosensor:QSB363 ■HighRadiantIntensity	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
QEB373	文件：513.03 Kbytes Page：5 Pages	Subminiature Plastic Infrared Emitting Diode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
QEB373	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：轴向类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 875NM 50MA AXIAL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
QEB373_06	文件：513.03 Kbytes Page：5 Pages	Subminiature Plastic Infrared Emitting Diode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
QEB373YR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：2-SMD，轭形弯曲类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 875NM 50MA SMD	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
QEB373ZR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：2-SMD，Z形弯曲类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 875NM 50MA SMD	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
373	文件：879.41 Kbytes Page：68 Pages	CeleronMProcessoron90nmProcess	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）
373	文件：78.05 Kbytes Page：2 Pages	SUBMINIATUREFUSES	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
373	文件：14.73 Kbytes Page：2 Pages	HighPerformanceBoxSealingTape	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
373	文件：97.97 Kbytes Page：2 Pages	Workhorseclampwithincreasedperformanceandflexibility	FLUKEFluke Corporation 福禄克公司
373	文件：1.13601 Mbytes Page：7 Pages	Mini-ClampSocket •Designedtoaccommodatetypicalwiringspecificationsper JapaneseandAsiansuppliers •LatchesavailableforPanelMountapplications •Nospecialwirepreparation •Integratedcableretention •Designacceptsmultiplewiresizediameters •Easy,quick,andreliableIDCterminationusing	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
AC373	文件：590.01 Kbytes Page：19 Pages	OCTALD-TYPETRANSPARENTLATCHESWITH3-STATEOUTPUTS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
ACS373D	文件：91.28 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Description TheIntersilACS373MSisaradiationhardenedoctaltransparentlatchwiththree-stateoutputs.Theoutputsaretransparenttotheinputswhenthelatchenable(LE)ishigh.WhentheLEgoeslow,thedataislatched.WhentheOutputEnable(OE)ishigh,theoutputsareinthehighimp	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
ACS373D	文件：418.11 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Features •1.25MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose300KRAD(Si) •SingleEventUpset(SEU)Immunity 80MEV-cm2/mg •DoseRateUpset>1011RAD(Si)/s,20nsPulse •Latch-UpFreeUnderAnyConditions •MilitaryTemperatureRa	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
ACS373DMSR	文件：418.11 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Features •1.25MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose300KRAD(Si) •SingleEventUpset(SEU)Immunity 80MEV-cm2/mg •DoseRateUpset>1011RAD(Si)/s,20nsPulse •Latch-UpFreeUnderAnyConditions •MilitaryTemperatureRa	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
ACS373DMSR	文件：91.28 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Description TheIntersilACS373MSisaradiationhardenedoctaltransparentlatchwiththree-stateoutputs.Theoutputsaretransparenttotheinputswhenthelatchenable(LE)ishigh.WhentheLEgoeslow,thedataislatched.WhentheOutputEnable(OE)ishigh,theoutputsareinthehighimp	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
ACS373HMSR	文件：418.11 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Features •1.25MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose300KRAD(Si) •SingleEventUpset(SEU)Immunity 80MEV-cm2/mg •DoseRateUpset>1011RAD(Si)/s,20nsPulse •Latch-UpFreeUnderAnyConditions •MilitaryTemperatureRa	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
ACS373HMSR	文件：91.28 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Description TheIntersilACS373MSisaradiationhardenedoctaltransparentlatchwiththree-stateoutputs.Theoutputsaretransparenttotheinputswhenthelatchenable(LE)ishigh.WhentheLEgoeslow,thedataislatched.WhentheOutputEnable(OE)ishigh,theoutputsareinthehighimp	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
ACS373K	文件：91.28 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Description TheIntersilACS373MSisaradiationhardenedoctaltransparentlatchwiththree-stateoutputs.Theoutputsaretransparenttotheinputswhenthelatchenable(LE)ishigh.WhentheLEgoeslow,thedataislatched.WhentheOutputEnable(OE)ishigh,theoutputsareinthehighimp	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
ACS373K	文件：418.11 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Features •1.25MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose300KRAD(Si) •SingleEventUpset(SEU)Immunity 80MEV-cm2/mg •DoseRateUpset>1011RAD(Si)/s,20nsPulse •Latch-UpFreeUnderAnyConditions •MilitaryTemperatureRa	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

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产品属性

产品编号：
QEB373
制造商：
onsemi
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
散装
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
50mA
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
16mW/sr @ 100mA
波长：
875nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.7V
视角：
24°
方向：
顶视图
工作温度：
-40°C ~ 100°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
轴向
描述：
EMITTER IR 875NM 50MA AXIAL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市龙瀚电子有限公司	QEB373	仙童	11+	Toplooker2-LEAD	62000	原装正品现货优势18	询价
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