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QPD2018D	文件：938.95 Kbytes Page：10 Pages	180umDiscreteGaAspHEMT KeyFeatures •Frequency:DC–20GHz •OutputPower(P1dB)1:22dBm •TypicalGain1:14dB •TypicalPAE1dB 1:55% •NoiseFigure1:1dB •NoVias •Technology:0.25umGaAspHEMT •ChipDimensions:0.41x0.34x0.10mm	QORVO Qorvo, Inc	QORVO
RFLA2018	文件：495.3 Kbytes Page：12 Pages	VariableGainLowNoiseHighLinearityAmplifier	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SIT2018B	文件：914.73 Kbytes Page：17 Pages	HighTemp,Single-Chip,One-OutputClockGenerator	SITIMESiTime Corp. 赛特时脉美商赛特时脉股份有限公司	SITIME
SiT2018B	文件：1.120103 Mbytes Page：16 Pages	SiT2018B-Rev.1.02	YXCSHENZHEN YANGXING TECHNOLOGY CO., LTD 扬兴深圳扬兴科技有限公司	YXC
SMD2018	文件：468.28 Kbytes Page：4 Pages	POSITIVETHERMALCOEFFICIENT(PTC)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SMD2018	文件：404.79 Kbytes Page：3 Pages	POLYMERRESETTABLEFUSE	YINTShanghai Yint Electronic Co., Ltd 音特电子上海音特电子有限公司	YINT
SMD2018	文件：1.10566 Mbytes Page：3 Pages	SurfaceMountResettablePTCs	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
SSM2018	文件：604.57 Kbytes Page：16 Pages	TrimlessVoltageControlledAmplifiers GENERALDESCRIPTION TheSSM2018TandSSM2118TrepresentcontinuingevolutionoftheFreyOperationalVoltageControlledElement(OVCE)topologythatpermitsflexibilityinthedesignofhighperformancevolumecontrolsystems.Voltage(SSM2018T)anddifferentialcurrent(SSM2118T)outputversio	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
SSM2018	文件：366.49 Kbytes Page：16 Pages	TrimlessVoltageControlledAmplifier GENERALDESCRIPTION TheSSM2018representsthecontinuingevolutionoftheFreyOperationalVoltageControlledElement(OVCE)topologythatpermitsflexibilityinthedesignofhighperformancevolumecontrolsystems.TheSSM2018islasertrimmedforgaincoresymmetryandoffset.Asaresult,	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
SSM2018	文件：366.49 Kbytes Page：16 Pages	TrimlessVoltageControlledAmplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

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深圳市一线半导体有限公司	QDSP-2018	HP	24+	CDIP	1500		询价
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