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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
SWITCHINGREGULATORAPPLICATION | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI | ||
PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS Features •HighVoltage:BVDSS=600V(Min.) •LowCrss:Crss=9.8pF(Typ.) •Lowgatecharge:Qg=12nC(Typ.) •LowRDS(on):RDS(on)=2.5Ω(Max.) | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI | ||
SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI | ||
AdvancedN-ChPowerMOSFET | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI | ||
SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI | ||
SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS Features HighVoltage:BVDSS=600V(Min.) LowCrss:Crss=9.8pF(Typ.) Lowgatecharge:Qg=12nC(Typ.) LowRDS(on):RDS(on)=2.5Ω(Max.) | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI | ||
AdvancedN-ChPowerMOSFET SWITCHINGREGULATORAPPLICATION Features Drain-Sourcebreakdownvoltage:BVDSS=600V(Min.) Lowgatecharge:Qg=12nC(Typ.) Lowdrain-sourceOnresistance:RDS(on)=2.1Ω(Typ.) 100avalanchetested RoHScompliantdevice | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI | ||
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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