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QA3118M6N	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V Asymmetric Dual N-Channel Power MOSFET The QA3118M6N is a high performance trench Dual N-channel asymmetric MOSFETwhich utilizes extremely high cell density to provide low Rdson and gate charge characteristics.It is ideally suited to support synchronous buck converter applications. \n\n The QA3118M6N meets RoHS and Green Product req • Advanced high cell density Trench technology \n• Super Low Gate Charge \n• Excellent CdV/dt effect decline \n• Green Device Available;	uPI(UBIQ) 力智电子	uPI(UBIQ)
QA3118M6N	文件：726.39 Kbytes Page：12 Pages	30V Asymmetric Dual N-Channel Power MOSFET 文件：726.39 Kbytes 页数：12 Pages	UPI 力智电子	UPI

技术参数

Package Type：
PRPAK5*6
Configuration：
Asymmerric Dual
MOSFET Type：
N/N
VDS (V)：
30/30
VGS (V)：
±20/±12
Vth max. (V)：
2.5/2.5
RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V：
5.0/1.9
RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V：
7.4/2.5
Ciss (pF)：
861/3738
Coss (pF)：
287/933
Crss (pF)：
22/46
Qg(nC)：
14.5/55.1
Qgs(nC)：
2.8/10.8
Qgd(nC)：
2.2/4.7
ID (A) Tc=25℃：
63/115
ID (A) Tc=100℃：
40/73
ID (A) TA=25℃：
16/28
ID (A) TA=70℃：
13/22
EAS.max(mj)：
60.2/250.6
PD(W) Tc=25℃：
31/37
PD (W) TA=25℃：
2/2.2
ESD Diode：
NO
Schottky Diode：
NO

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更多QA3118M6N供应商更新时间2026-1-27 10:29:00

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