QA3117N3N数据手册uPI(UBIQ)中文资料规格书
QA3117N3N规格书详情
描述 Description
The QA3117N3N is a high performance trench Dual N-channel asymmetric MOSFETwhich utilizes extremely high cell density to provide low Rdson and gate charge characteristics.It is ideally suited to support synchronous buck converter applications.
The QA3117N3N meets RoHS and Green Product requirements while supporting full functionreliability.
特性 Features
• Advanced high cell density Trench technology
• Super Low Gate Charge
• Excellent CdV/dt effect decline
• Green Device Available
应用 Application
• High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA
• Networking DC-DC Power System
• CCFL Back-light Inverter
技术参数
- 制造商编号
：QA3117N3N
- 生产厂家
：uPI(UBIQ)
- Package Type
：DFN3*3
- Configuration
：Asymmerric Dual
- MOSFET Type
：N/N
- VDS (V)
：30/30
- VGS (V)
：±20/±20
- Vth max. (V)
：2.5/2.5
- RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V
：13.9/5.3
- RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V
：21.1/7.7
- Ciss (pF)
：303/859
- Coss (pF)
：109/294
- Crss (pF)
：10/24
- Qg(nC)
：6.4/14.9
- Qgs(nC)
：1.2/2.8
- Qgd(nC)
：1.1/2.3
- ID (A) Tc=25℃
：28/49
- ID (A) Tc=100℃
：18/31
- ID (A) TA=25℃
：12/18
- ID (A) TA=70℃
：9/14
- EAS.max(mj)
：16.0/58.1
- PD(W) Tc=25℃
：17/20
- PD (W) TA=25℃
：2.7/2.7
- ESD Diode
：NO
- Schottky Diode
：NO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
20+ |
SOD-553 |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOD553 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
INTEL |
24+ |
PGA |
3000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
FAROUDJA |
20+ |
QFP |
500 |
样品可出,优势库存欢迎实单 |
询价 | ||
UBIQ/力智 |
2450+ |
PRPAK33 |
6540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
INTEL |
23+ |
原厂封装 |
11888 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
INTEL |
2023+ |
PGA |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
APOGEE |
23+ |
BGA |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
INTEL/英特尔 |
QQ咨询 |
PGA |
824 |
全新原装 研究所指定供货商 |
询价 | ||
Intel |
1 |
公司优势库存 热卖中!! |
询价 |
