QA3112M6N中文资料30V Asymmetric Dual N-Channel Power MOSFET数据手册uPI(UBIQ)规格书
QA3112M6N规格书详情
描述 Description
The QA3112M6N is a high performance trench Dual N-channel asymmetric MOSFETwhich utilizes extremely high cell density to provide low Rdson and gate charge characteristics.It is ideally suited to support synchronous buck converter applications.
The QA3112M6N meets RoHS and Green Product requirements while supporting full functionreliability.
特性 Features
• Advanced high cell density Trench technology
• Super Low Gate Charge
• Green Device Available
应用 Application
• High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA
• Networking DC-DC Power System
技术参数
- 制造商编号
：QA3112M6N
- 生产厂家
：uPI(UBIQ)
- Package Type
：PRPAK5*6
- Configuration
：Asymmerric Dual
- MOSFET Type
：N/N
- VDS (V)
：30/30
- VGS (V)
：±20/±20
- Vth max. (V)
：2.5/2.5
- RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V
：5.6/2.7
- RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V
：8.4/3.9
- Ciss (pF)
：850/1759
- Coss (pF)
：280/614
- Crss (pF)
：18/40
- Qg(nC)
：14.5/27.3
- Qgs(nC)
：2.5/5.2
- Qgd(nC)
：2.2/3.7
- ID (A) Tc=25℃
：59/92
- ID (A) Tc=100℃
：37/58
- ID (A) TA=25℃
：15/23
- ID (A) TA=70℃
：12/18
- EAS.max(mj)
：58.5/132.1
- PD(W) Tc=25℃
：31/35
- PD (W) TA=25℃
：2/2
- ESD Diode
：NO
- Schottky Diode
：NO
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