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Q8040KH6TP

三端双向可控硅

Littelfuse

力特

Q80BD-J61BT11N

IGBT

三菱

技术参数

  • Repetitive Peak Off-State Voltage (VDRM) (V):

    800

  • IDRM@VDRM 25°C (mA):

    0.005

  • Max Gate Trigger Current Q1 (mA):

    80

  • Max Gate Trigger Current Q2 (mA):

    80

  • Max Gate Trigger Current Q3 (mA):

    80

  • VTM (V):

    1.8

  • Non-Repetitive Surge Current (ITSM 60Hz) (A):

    400

  • di/dt @ 110°C (A/μs):

    150

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更多Q8040KH6供应商 更新时间2025-12-11 15:21:00